2018年11月23日,中国科学院院士、香港大学原校长郑耀宗接受深圳湾论坛对话深圳湾栏目组的专访。

郑耀宗院士1963年郑耀宗毕业于香港大学后赴加拿大留学;1967年获加拿大卑诗大学博士学位;1989年出任香港城市大学校长;1996年出任香港大学校长;1999年当选成为中国科学院院士;香港特别行政区筹备委员会委员。建华基金会董事会主席。第9届及第10届全国政协委员，港事顾问，也是香港特区筹备委员会的成员之一。

主要科研成就
郑耀宗院士长期以来对金属-氧化硅-硅(MOS)系统及其器件物理和工艺技术进行了系统研究。发明了掺氯化氢硅氧化技术，解决了当时MOS器件和集成电路阈值电压漂移、不能稳定工作的难题，使MOS器件和电路的性能、可靠性和成品率大大提高。在国际上首先提出了MOS反型层载流子表面粗糙度散射理论，在MOS集成电路进入深亚微米阶段后，这一机理已成为决定MOS反型层载流子迁移率的主要因素，这是对MOS器件物理的一大发展。是较早开展氮化硅技术的研究者之一。在深亚微米器件模型研究工作中取得重要成果。

在教学方面：他将考试由每年一次改为两次，又引入学分制及一年级的中文、英文及资讯科技必修科。有人认为郑耀宗的改革改善了港大学术气氛，增加港大竞争力，为以后的发展打下根基。

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